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标题: 一般来说，mos的参数是不是越大，发热量相对来说就越小？ [打印本页]

作者: 20166333 时间: 2012-6-26 19:40
标题: 一般来说，mos的参数是不是越大，发热量相对来说就越小？
四合一坏了一个驱动主电机的mos后
更换了一个体积上大很多，其他就不知道了。参数应该也大吧

可是换上去的那个mos管发热挺大的！

会不会影响呢

我的MOS 是用在四合一上的想问下多少V 和 A 就够了？我换了个动力严重不足，然后非常烫！是不是V 和A 参数太低了？

[ 本帖最后由 20166333 于 2012-6-27 01:58 编辑 ]

作者: mqm030610 时间: 2012-6-26 19:47
:em23: 不懂

作者: quyingxin 时间: 2012-6-26 20:53
驱动电压要一样的

作者: 20166333 时间: 2012-6-26 21:08
标题: 回复藤椅 quyingxin 的帖子
mos 场效应管参数大的可以代替小的。。

作者: philipzj 时间: 2012-6-26 21:16
内容应该是的，不过还要看压降和负载电流。

作者: littlestep 时间: 2012-6-26 21:33
發熱量得看電流 , 但不同mosfet 的內阻也不同..
不一定只看規格, 多口一問是什麼4合1 如果是esky 的 , 你可找找 4410 代替

作者: caoshuangcs 时间: 2012-6-26 23:26
主要是看RDSON的参数。RDSON越小，功率消耗约小。反正则越大就会很热。:em21:

作者: 20166333 时间: 2012-6-28 17:06
标题: 回复 7楼 caoshuangcs 的帖子
说中文啊！这个叫什么开启电压？:em21:

作者: 星之友 时间: 2012-6-28 17:18
学习一下

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